В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:

• DDR - является самым старым видом оперативной памяти, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативной памяти, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативной памяти, хотя множество существующих систем используют DDR оперативную память. Рабочее напряжение DDR - 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
• DDR2 - это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, но и не новейший вид оперативной памяти. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
• DDR3 - быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким образом самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативной памяти. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора

Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC

JEDEC - Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа - PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как "тайминги памяти".

Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив - простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:

• CAS Latency (CAS) - задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
• RAS to CAS Delay (tRCD) - количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
• Row Precharge (tRP) - время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
• Activate to Precharge (tRAS) - время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и того же банка.

Если вы увидите на модулях обозначения "2-2-2-5" или "3-4-4-7", можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR - 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 - экстремальный вариант для отборных "оверклокерских" микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS - чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.

В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:

Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации

Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC3-8500	533	1066	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1066
PC3-10666	667	1333	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1333
PC3-12800	800	1600	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1600
PC3-14400	900	1800	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1800
PC3-16000	1000	2000	TBD	чаще называемые DDR3-2000

Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации

DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800). Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года - начале следующего года.

Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь прежде чем будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).

Рынок комплектующих постоянно пополняется новыми разработками и инновациями с завидной регулярностью, отчего у многих пользователей, чьи средства явно не позволяют своевременно обзавестись новым железом, появляются сомнения в мощности и производительности своего компьютера в целом. Во все времена обсуждение уймы вопросов на технических форумах про актуальность своих комплектующих не стихает никогда. При этом вопросы касаются не только лишь процессора, видеокарты, но даже и оперативной памяти. Однако, даже невзирая на всю динамику развития компьютерного железа, актуальность технологий предыдущих поколений не утрачивается настолько же быстро. В том числе это касается и компонентов

DDR2-память: от первых дней на рынке до заката популярности

DDR2 - это второе поколение с произвольным доступом (от англ. Synchronous Dynamic random access memory - SDRAM), или же, в привычной для любого пользователя формулировке, следующее после DDR1 поколение оперативной памяти, получившей широкое распространение в сегменте персональных компьютеров.

Будучи разработанным в далёком 2003 году, полноценно закрепиться на рынке новый тип смог лишь к концу 2004-го - только на тот момент появились чипсеты с поддержкой DDR2. Активно разрекламированное маркетологами, второе поколение было представлено как чуть ли не в два раза более мощная альтернатива.

Что стоит в первую очередь выделить из различий, это способность работать на значительно более высокой частоте, передавая данные дважды за один такт. С другой стороны, стандартным негативным моментом поднятия частот является увеличение времени задержки при работе.

Наконец, к середине 2000-х новый тип основательно ущемил позиции предыдущего, первого, и лишь только к 2010 году DDR2 была значимым образом потеснена пришедшей на замену новинкой DDR3.

Особенности устройства

Распространяемые модули ОЗУ DDR2 (в обыденной речи принявшие название "плашки") обладали некоторыми отличительными особенностями и разновидностями. И хоть обилием вариаций новый для своего времени откровенно не поражал, однако даже внешние различия сразу же бросались в глаза любому покупателю с первого взгляда:

• Односторонняя/двухсторонняя планка-модуль SDRAM, на котором микросхемы расположены с одной или двух сторон соответственно.
• DIMM - стандартный на сегодняшний день форм-фактор для SDRAM (синхронная динамическая оперативная память, коей и является DDR2). Массовое использование в компьютерах общего предназначения началось ещё с конца 90-х годов, чему главным образом способствовало появление процессора Pentium II.
• SO-DIMM - укороченный форм-фактор модуля SDRAM, разработанный специальным образом для портативных компьютеров. Плашки SO-DIMM DDR2 для ноутбука обладали несколькими существенными отличиями от стандартных DIMM. Это модуль с меньшими физическими размерами, пониженным энергопотреблением и, как следствие, меньшим по сравнению со стандартным DIMM-фактором уровнем производительности. Пример модуля ОЗУ DDR2 для ноутбука можно увидеть на фото ниже.

Помимо всех вышеперечисленных особенностей, следует отметить также довольно посредственную "оболочку" плашек тех времён - почти все они за редким исключением тогда были представлены лишь стандартными платами с микросхемами. Маркетинг в сегменте компьютерного железа тогда лишь только-только начинал раскручиваться, поэтому в продаже попросту не было образцов с привычными уже для современных модулей оперативки радиаторами самых различных размеров и оформления. До сих пор они выполняют прежде всего функцию декоративную, нежели задачу отвода выделяемого тепла (что, в принципе, не свойственно оперативной памяти типа DDR).

На фото, размещенном ниже, можно видеть, как выглядят модули ОЗУ DDR2-667 с радиатором.

Ключик совместимости

DDR2-память по своей конструкции имеет крайне важное отличие от предыдущей DDR - отсутствие обратной совместимости. В образцах второго поколения прорезь в зоне контакта планки с разъёмом для оперативной памяти на материнской плате уже была расположена по-иному, из-за чего вставить плашку DDR2 в разъём, рассчитанный на DDR, физически невозможно без поломки одного из компонентов.

Параметр объёма

Для серийных материнских плат (любая для домашнего/офисного пользования материнская плата) DDR2-стандарт мог предложить максимальный объём 16 гигабайт. Для серверных решений лимит объёма доходил до 32 гигабайт.

Стоит также обратить внимание ещё на один технический нюанс: минимальный объём одной плашки составляет 1 Гб. Помимо этого, на рынке представлены ещё два варианта модулей DDR2: 2Gb и 8Gb. Таким образом, чтобы получить максимально возможный запас оперативной памяти этого стандарта, пользователю придётся устанавливать две планки по 8 Гб либо четыре по 4 Гб соответственно.

Частота передачи данных

Этот параметр отвечает за способность шины памяти пропускать как можно больше информации за единицу времени. Большее значение частоты - больше данных возможно будет предать, и тут DDR2-память существенно обогнала предыдущее поколение, которое могло работать в диапазоне от 200 до 533 МГц максимум. Ведь минимальная частота планки DDR2 - это 533 МГц, а топовые экземпляры, в свою очередь, могли похвастаться разгоном до 1200 МГц.

Однако с ростом частоты памяти закономерно поднимались и тайминги, от которых не в последнюю очередь зависит производительность памяти.

О таймингах

Тайминг - это временной интервал с момента запроса данных до считывания их с оперативной памяти. И чем больше увеличивалась частота модуля, тем дольше оперативке требовалось времени на совершение операций (не до колоссальных задержек, разумеется).

Измеряется параметр в наносекундах. Наиболее влияющим на производительность является тайминг латентности (CAS latency), который в спецификациях обозначается как CL* (вместо * может быть указано любое число, и чем оно меньше - тем оперативное будет работать шина памяти). В некоторых случаях тайминги планок указываются трёхсимвольной комбинацией (к примеру, 5-5-5), однако наиболее критичным параметром будет как раз-таки первое число - им всегда обозначена латентность памяти. Если же тайминги указаны в четырёхзначной комбинации, в которой последнее значение разительно больше всех остальных (к примеру, 5-5-5-15), то это указана длительность общего рабочего цикла в наносекундах.

Старичок, не теряющий формы

Своим появлением второе поколение вызвало немало шума в компьютерных кругах, что и обеспечило ей немалую популярность и отличные продажи. DDR2, как и предшествующее ей поколение, могла передавать данные по обоим срезам, однако более быстрая шина с возможностью передачи данных значительно повысила её работоспособность. К тому же положительным моментом было и более высокая энергоэффективность - на уровне 1,8 В. И если на общей картине энергопотребления компьютера это едва ли хоть как-то сказывалось, то на срок службы (особенно при интенсивной работе железа) это влияло сугубо положительно.

Однако технологии перестали быть таковыми, если бы не развивались в дальнейшем. Именно это и случилось с появлением следующего поколения DDR3 в 2007 году, задачей которого было постепенное, но уверенное вытеснение с рынка устаревающей DDR2. Однако действительно ли это "устаревание" означает полную неконкурентоспособность с новой технологией?

Один на один с третьим поколением

Помимо традиционной обратной несовместимости, DDR3 представлял ряд нескольких технических нововведений в стандарты оперативной памяти:

• Максимально поддерживаемый объём для серийных материнских плат увеличился с 16 до 32 Гб (при этом показатель одного модуля мог достигать 16 Гб вместо прежних 8).
• Более высокие частоты передачи данных, минимум которых составляет 2133 МГц, а максимум - 2800 МГц.
• Наконец, стандартное для каждого нового поколения уменьшенное энергопотребление: 1,5 В против 1,8 В у второго поколения. Помимо этого, на основе DDR3 были разработаны ещё две модификации: DDR3L и LPDDR3, потребляющие 1,35 В и 1,2 В соответственно.

Вместе с новой архитектурой также повысились тайминги, однако падение производительности от этого нивелируется более высокими рабочими частотами.

Как решит покупатель

Покупатель - не инженер-разработчик; помимо технических характеристик покупателю не менее важна будет и цена самого продукта.

На старте продаж нового поколения любого компьютерного железа его стоимость стандартно окажется более высокой. Та же самая оперативная память нового типа поначалу приходит на рынок с очень большой ценовой разницей по сравнению с предыдущим.

Однако же прирост в производительности между поколениями в большинстве приложений если и вообще не отсутствует, то составляет просто смешные показатели, явно не достойные больших переплат. Единственный верный момент для перехода на новое поколение оперативки - максимальное падение его ценника до уровня предыдущего (такое в сегменте продаж SDRAM происходит всегда, это же было в случае с DDR2 и DDR3, это же сейчас произошло в случае с DDR3 и новенькой DDR4). И только лишь тогда, когда цена переплаты между последним и предыдущим поколением будет составлять самый минимум (что адекватно для небольшого прироста производительности), то только в этой ситуации можно задумываться о замене оперативной памяти.

В свою очередь, владельцам компьютеров с DDR2-памятью обзаводиться новым типом оперативки рациональнее всего только при основательном апгрейде с соответствующей поддерживающего этот самый новый тип, и новой материнской платой (и то на сегодняшний день имеет смысл апгрейдиться до уровня компонентов, поддерживающих DDR4-память: ее нынешняя цена находится наравне с DDR3, а прирост между четвёртым и вторым поколением будет куда более ощутимым, нежели между третьим и вторым).

В ином же случае, если подобный апгрейд пользователем совершенно никак не запланирован, то вполне можно обойтись той же DDR2, цена на которую сейчас относительно низкая. Достаточно будет лишь увеличить при необходимости общий объём оперативки аналогичными модулями. Допустимые лимиты памяти этого типа даже сегодня с лихвой покрывают все нужды большинства юзеров (в большинстве случаев достаточно будет установки дополнительного модуля DDR2 2Gb), а отставание в производительности со следующими поколениями совершенно некритичными.

Минимальные цены на модули оперативной памяти (учтены только образцы проверенных брендов Hynix, Kingston и Samsung) могут варьироваться в зависимости от региона проживания покупателя и выбранного им магазина.

Дата публикации:

25.06.2009

Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.

В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.

Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:

• планка ("плашка") - модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
• односторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
• двухсторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
• RAM (Random Access Memory, ОЗУ) - память с произвольным доступом, проще говоря - оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
• SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) - синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.

Рассмотрим маркировки

• 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 BOX
• 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Объем

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

Тип памяти

Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

• DDR: 200-400 МГц
• DDR2: 533-1200 МГц
• DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800 .

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.

Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Стандарт скорости модуля памяти

В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.

Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.

Название модуля	Частота шины	Тип чипа
PC2-3200	200 МГц	DDR2-400	3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с
PC2-4200	266 МГц	DDR2-533	4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с
PC2-5300	333 МГц	DDR2-667	5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1
PC2-5400	337 МГц	DDR2-675	5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с
PC2-5600	350 МГц	DDR2-700	5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с
PC2-5700	355 МГц	DDR2-711	5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с
PC2-6000	375 МГц	DDR2-750	6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с
PC2-6400	400 МГц	DDR2-800	6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с
PC2-7100	444 МГц	DDR2-888	7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с
PC2-7200	450 МГц	DDR2-900	7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с
PC2-8000	500 МГц	DDR2-1000	8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с
PC2-8500	533 МГц	DDR2-1066	8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с
PC2-9200	575 МГц	DDR2-1150	9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с
PC2-9600	600 МГц	DDR2-1200	9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с

Тип памяти	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Передач данных в секунду	Название стандарта	Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800	100 МГц	10.00 нс	400 МГц	800 млн	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7.50 нс	533 МГц	1066 млн	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6.00 нс	667 МГц	1333 млн	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5.00 нс	800 МГц	1600 млн	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1800	225 МГц	4.44 нс	900 МГц	1800 млн	PC3-14400	14400 МБ/с
DDR3-2000	250 МГц	4.00 нс	1000 МГц	2000 млн	PC3-16000	16000 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3.75 нс	1066 МГц	2133 млн	PC3-17000	17066 МБ/с
DDR3-2400	300 МГц	3.33 нс	1200 МГц	2400 млн	PC3-19200	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.

Производитель и его part number

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.

Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

• Kingston KVR800D2N6/1G
• OCZ OCZ2M8001G
• Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:

Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):

По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.

По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.

Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3 . Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).

По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T : 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.

Тайминги

Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.

Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.

Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.

Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD ), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL ), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP ). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).

Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15 . В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.

Главным таймингом считается CAS latency , который часто обозначается сокращенно CL=5 . Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.

Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.

Сейчас актуальным стандартом оперативной памяти является DDR4, но в использовании все еще находится множество компьютеров с DDR3, DDR2 и даже DDR. Из-за такого оперативной памяти многие пользователи путаются и забывают какая именно оперативная память используется на их компьютере. Решению этой проблемы и будет посвящена данная статья. Здесь мы расскажем, как узнать какая оперативная память используется на компьютере DDR, DDR2, DDR3 или DDR4.

Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.

Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).

Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑ 3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.

В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.

Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже.

Название модуля	Тип оперативной памяти
PC-1600	DDR-200
PC-2100	DDR-266
PC-2400	DDR-300
PC-2700	DDR-333
PC-3200	DDR-400
PC-3500	DDR-433
PC-3700	DDR-466
PC-4000	DDR-500
PC-4200	DDR-533
PC-5600	DDR-700
PC2-3200	DDR2-400
PC2-4200	DDR2-533
PC2-5300	DDR2-667
PC2-5400	DDR2-675
PC2-5600	DDR2-700
PC2-5700	DDR2-711
PC2-6000	DDR2-750
PC2-6400	DDR2-800
PC2-7100	DDR2-888
PC2-7200	DDR2-900
PC2-8000	DDR2-1000
PC2-8500	DDR2-1066
PC2-9200	DDR2-1150
PC2-9600	DDR2-1200
PC3-6400	DDR3-800
PC3-8500	DDR3-1066
PC3-10600	DDR3-1333
PC3-12800	DDR3-1600
PC3-14900	DDR3-1866
PC3-17000	DDR3-2133
PC3-19200	DDR3-2400
PC4-12800	DDR4-1600
PC4-14900	DDR4-1866
PC4-17000	DDR4-2133
PC4-19200	DDR4-2400
PC4-21333	DDR4-2666
PC4-23466	DDR4-2933
PC4-25600	DDR4-3200

Использование специальных программ

Если же ваши модули оперативной памяти уже установлены в компьютер, то вы можете узнать к какому типу они относятся с помощью специальных программ.

Самый простой вариант - это воспользоваться бесплатной программой CPU-Z. Для этого запустите CPU-Z на своем компьютере и перейдите на вкладку «Memory». Здесь в левом верхнем углу окна будет указан тип оперативной памяти, который используется на вашем компьютере.

Также на вкладке «Memory» можно узнать эффективную частоту, на которой работает ваша оперативная память. Для этого нужно взять значение «DRAM Frequency» и умножить его два. Например, на скриншоте внизу указана частота 665.1 МГц, умножаем ее на 2 и получаем эффективную частоту 1330,2 МГц.

Если вы хотите узнать какие конкретно модули оперативной памяти установлены на вашем компьютере, то эту информацию можно получить на вкладке «SPD».

Здесь можно узнать, сколько модулей памяти установлено, кто их производитель, на каких частотах они могут работать и многое другое.

Существует несколько распространенных видов модулей памяти, использующихся в современных компьютерах и компьютерах выпущенных несколько лет назад, но еще работающих в домах и офисах.
Для многих пользователей отличить их как по внешнему виду, так и по производительности - это большая проблема.
В этой статье мы рассмотрим основные особенности разных модулей памяти.

FPM

FPM (Fast Page Mode) - вид динамической памяти.
Его название соответствует принципу работы, так как модуль позволяет быстрее получать доступ к данным которые находятся на той же странице, что и данные, переданные во время предыдущего цикла.
Эти модули использовались на большинстве компьютеров с процессорами 486 и в ранних системах с процессорами Pentium, ориентировочно в 1995 году.

EDO

Модули EDO (Extended Data Out) появились в 1995 году как новый тип памяти для компьютеров с процессорами Pentium.
Это модифицированный вариант FPM.
В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM) - вид памяти со случайным доступом, работающий на столько быстро, чтобы его можно было синхронизировать с частотой работы процессора, исключая режимы ожидания.
Микросхемы разделены на два блока ячеек так, чтобы во время обращения к биту в одном блоке шла подготовка к обращению к биту в другом блоке.

Если время обращения к первой порции информации составляло 60 нс, все последующие интервалы удалось сократить до 10 нс.
Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года.

SDRAM может работать на частоте 133 МГц, что почти в три раза быстрее, чем FPM и в два раза быстрее EDO.
Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron, выпущенных в 1999 году использовали именно этот вид памяти.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM.
Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году.
Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.
Сейчас это основной стандарт памяти, но он уже начинает уступать свои позиции DDR2.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) - более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым.
Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее - в середине 2004.

Эта память, также как DDR, передает два набора данных за такт.
Основное отличие DDR2 от DDR - способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции.
Но измененная схема работы, позволяющая добиться высоких тактовых частот, в то же время увеличивает задержки при работе с памятью.

DDR3

DDR3 SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) - это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео-памяти.
Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 40% потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.
Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Модули DIMM с памятью DDR3 механически не совместимы с такими же модулями памяти DDR2 (ключ расположен в другом месте), поэтому DDR2 не могут быть установлены в слоты под DDR3 (это сделано с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других - эти типы памяти не совпадают по электрическим параметрам).

RAMBUS (RIMM)

RAMBUS (RIMM) - это вид памяти, который появился на рынке в 1999 году.
Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой.
Дизайн RAMBUS делает обращение к памяти более «разумным», позволяя получать предварительный доступ к данным, немного разгружая центральный процессор.

Основная идея, использованная в этих модулях памяти, заключается в получении данных небольшими пакетами, но на очень высокой тактовой частоте.
Например, SDRAM может передавать 64 бит информации при частоте 100 МГц, а RAMBUS - 16 бит при частоте 800 МГц.
Эти модули не стали успешными, так как у Intel было много проблем с их внедрением.
Модули RDRAM появились в игровых консолях Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

Перевод: Владимир Володин